Mouser Electronics, Inc. versendet jetzt die neuen NV60x GaNFast Leistungs-FETs von Navitas Semiconductor. Die NV60x GaNFast FETs werden im Inland hergestellt, sind Hochleistungs-, Enhancement-Mode-GaN Power-Bauelemente, die für KI-Infrastruktur, Leistungs-Computing, industrielle Elektrifizierung, hocheffizientes kabelloses Laden und kritische Sicherheitsanwendungen entwickelt wurden.

Die NV60x GaNFast Leistungs-FETs, erhältlich bei Mouser, kombinieren hohe dV/dt-Immunität (bis zu 200 V/ns), flache SMT-Gehäuse mit Unterseiten-Kühlung, ultra-niedrige Gate-Ladung, null Rückwärts-Erholungsverhalten und minimierte Ausgangsladung, um einen Hochfrequenz-Betrieb bis zu 10 MHz über die gesamte Serie zu ermöglichen. Der NV60x unterstützt 700 V Dauer- und 800 V transiente Drain-zu-Source-Spannungen und bietet damit großzügigen Spielraum für anspruchsvolle AC-DC, DC-DC und DC-AC-Topologien in KI-, Leistungs-Computing- und Industrie-Elektrifizierungs-Anwendungen.
Jedes Mitglied der NV60x-Familie bietet einzigartige Leistungsmerkmale. Der NV6012C liefert einen niedrigen Widerstand von 430 mΩ in einem kompakten 5 mm × 6 mm PQFN-Gehäuse mit Unterseiten-Kühlung und einem Source-Kelvin-Pin für verbesserte Rauschimmunität. Die NV6014- und NV6015C-Modelle bieten niedrigere RDS (on)-Werte von 260 mΩ bzw. 150 mΩ und unterstützen höhere Leistungsdichten bei ähnlich kompakten Gehäusen. Der NV6017C reduziert den Einschaltwiderstand weiter auf 120 mΩ, liefert bis zu 13 A Dauer-Drain-Strom bei +25 °C und behält eine niedrige thermische Resistenz für effiziente Wärmeabfuhr bei. Die GaNFast-Familie markiert einen bedeutenden Meilenstein für Navitas, indem die nächste Generation der GaNFast-Technologie in die US-Produktion gebracht und das heimische GaN-Ökosystem mit hocheffizienten Leistungs-Lösungen für KI-Infrastruktur gestärkt wird.
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