Aratas führt Hochspannungs-SiC-MOSFET-Relais ein

Da die Nachfrage nach effizienteren Hochspannungs-Halbleitertechnologien zur Unterstützung der Dekarbonisierung und Energieeinsparung wächst, wenden sich Hersteller zunehmend Siliziumkarbid- (SiC-) Lösungen zu. Diese Technologien können die Leistung in Anwendungen von erneuerbaren Energiesystemen und Rechenzentren bis hin zu industrieller Automatisierung und Verkehr verbessern. Vor diesem Hintergrund hat Aratas America LLC (Aratas), ehemals OMRON Electronic Components, die Einführung ihres G3VH Hochlast-Spannungs-SiC-MOSFET-Relais angekündigt.

Das G3VH ist ein Next-Generation-Relais, das Hochspannungs-Schaltanwendungen mit Lastspannungen von 1.800 V oder 3.300 V unterstützt. Durch den Einsatz von SiC-MOSFET-Technologie liefert das Relais verbesserte Spannungsfestigkeit, niedrigen Einschaltwiderstand, geringen Leckstrom und zuverlässiges Hochgeschwindigkeits-Schalten bei minimalem Leistungsverlust und Wärmeentwicklung. Das G3VH ermöglicht Geräteherstellern, kleinere, effizientere Hochspannungs-Systeme zu entwickeln, ohne Leistung oder Zuverlässigkeit zu beeinträchtigen.

Im Gegensatz zu herkömmlichen siliziumbasierten Leistungshalbleitern ermöglicht die SiC-Technologie eine deutlich höhere Durchschlagfestigkeit, sodass das G3VH-Relais höhere Spannungsanwendungen unterstützen kann, während es ein kompaktes Footprint beibehält. Erhältlich sowohl in PCB-Terminal- als auch in Surface-Mount-DIP-6-Pin-Gehäusen, kombiniert das G3VH hohe elektrische Leistung mit platzsparendem Design für nächste-Generation-Geräte.

Wichtige Merkmale und Vorteile des G3VH:

• Verbesserte Defekterkennungs- und Konformitätstest-Genauigkeit
• Reduzierte Inspektionszeiten
• Unterstützung für hohe Spannung und hohe Spannungsfestigkeit
• Niedriger Einschaltwiderstand, hohe Dielektrikfestigkeit und Hochgeschwindigkeits-Schalten

Die G3VH-Serie ist in 1.800 V- und 3.300 V-Modellen erhältlich und bietet 5.000 Vrms Dielektrikfestigkeit zwischen Ein- und Ausgang. Niedriger Einschaltwiderstand, geringer Leckstrom und Hochgeschwindigkeits-Schalten verbessern die Systemeffizienz und unterstützen den Betrieb in anspruchsvollen Hochspannungs-Umgebungen.

Das G3VH-Relais eignet sich gut für Halbleiter-Testgeräte, Batteriemanagementsysteme, Messinstrumente und andere Anwendungen, die präzises, zuverlässiges Hochspannungs-Schalten erfordern. Sein kompaktes Footprint unterstützt zudem die Miniaturisierung von Geräten und trägt zu verbesserter Messgenauigkeit, höherer Stabilität und schnellerer Inspektions-Durchsatzrate bei.

Weitere Informationen finden Sie unter components.omron.com.

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