Sivers und SemiNex entwickeln InP-Lichtquellen

Key Takeaways

• Sivers Semiconductors und SemiNex Corporation arbeiten an einem 3,4 Millionen-Dollar-Programm für nächste Generation von InP-Lichtquellen
• Das Programm zielt auf Hochleistungs-Externe Lasern, DFB-Arrays und SOA-Verstärkerstufen für KI-Rechenzentrums-Interconnects
• Kundensampling und frühe Serienproduktion werden im 2. Hj. 2027 erwartet
• Die Entwicklung konzentriert sich auf die Verbesserung von Leistung pro Wellenlänge, Wall-Plug-Effizienz und thermischer Stabilität

Introduction to InP Light Sources

Sivers Semiconductors AB und SemiNex Corporation haben ein gemeinsames Programm zur Entwicklung der nächsten Generation von Indium-Phosphid-(InP-)Lichtquellen für künstliche-Intelligenz-(AI-)Rechenzentrums-Interconnects angekündigt. Die Anfangsinvestition für dieses Programm beträgt etwa 3,4 Millionen $.

Program Objectives

Die Hauptziele dieses Programms sind die Konstruktion und Entwicklung von Hochleistungs-Externen Lasern für Co-Packaged-Optics (CPO), hochkanaligen Distributed-Feedback-(DFB-)Arrays für wellenlängenmultiplexte Verbindungen und Semiconductor-Optical-Amplifier-(SOA-)Verstärkerstufen. Diese Komponenten sind entscheidend, um die optische Reichweite zu erweitern, wenn die Kanalzahlen in KI-Rechenzentrums-Interconnects skalieren.

Technical Requirements

Wenn die Optik vom Frontpanel ins Paket übergeht, werden folgende Faktoren immer wichtiger:

• Leistung pro Wellenlänge
• Wall-Plug-Effizienz
• Thermische Stabilität

Diese Faktoren bestimmen, wie weit eine Architektur skalieren kann, wodurch die Lichtquelle zu einem System-Design-Problem wird und nicht nur zu einer einfachen Bauteilauswahl.

Comparison of InP Light Sources

The following table compares the key features of different InP light sources:

Development Timeline

Customer sampling and early production ramps are targeted for the second half of 2027 (2H 2027). This timeline indicates a rapid development and deployment schedule for the next-generation InP light sources.

Bottom Line

The collaboration between Sivers Semiconductors and SemiNex Corporation aims to address the growing demand for high-performance InP light sources in AI data center interconnects. With a focus on improving power per wavelength, wall-plug efficiency, and thermal stability, this program has the potential to revolutionize the field of optics and photonics. As the development progresses, we can expect significant advancements in the design and deployment of InP light sources, enabling faster and more efficient data transmission in AI data centers.